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肖特基模块
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封装

反向重复峰值电压VRRM (V)

正向平均电流IF(AV) d=0.5Tc=125℃ (A)

浪涌电流IFSMt=8.3msTj=45℃ (A)

正向压降VF@IFTj=25℃(V)

正向压降VF@IFTj=25℃(A)

正向压降VF@IFTj=125℃(V)

正向压降VF@IFTj=125℃(A)

结-壳热阻Rth(j-c)per chip(℃/W)

型号 规格书 反向重复峰值电压VRRM (V) 正向平均电流IF(AV) d=0.5Tc=125℃ (A) 浪涌电流IFSMt=8.3msTj=45℃ (A) 正向压降VF@IFTj=125℃(V) 正向压降VF@IFTj=125℃(A) 结-壳热阻Rth(j-c)per chip(℃/W) 绝缘耐压 Visol(V) 封装

条数据

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